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摘要
探討 AI 算力激增下，資料中心電源架構如何透過 800V 高壓直流與 48V 中介匯流排進行能源革命。內容涵蓋氮化鎵、碳化矽與矽等多元功率半導體的協同應用，以及垂直供電技術如何解決高功率密度與散熱瓶頸，並提及鑽石半導體的未來潛力。
This article explains how 800V high-voltage DC and 48V distribution architectures, combined with GaN and SiC semiconductors, are reshaping power systems for next-generation AI data centers to achieve higher efficiency and density.
摘要、重點與章節標題由語言模型整理，細節（誰說的、數字、先後）可能有誤；要引用請以原始內容為準。
重點
- AI 伺服器電源架構正從 12V 轉向 800V 高壓直流與 48V 中介匯流排。
- 氮化鎵、碳化矽與矽等多元半導體協同以突破高壓高頻電源極限。
- 垂直供電技術與系統級效率設計是支撐 MW 級資料中心運算的關鍵。
提到的工具與公司
- NVIDIA Blackwell
- Rubin
- Feynman
- ISOP
- Vicor
- Toshiba
- Vishay
適合誰看
從事電源設計、半導體應用或資料中心基礎設施規劃的工程師與技術人員。
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