跳到主要內容
AI 武林

電子工程專輯 EE Times Taiwan

部落格 ・ 台灣 ・ 繁體中文 ・ A 級 ・ 7 筆內容 ・ 最近更新 2026/10/08

台灣;電子工程師的產業與技術媒體:AI 晶片的散熱與封裝、AI 記憶體架構、推論硬體的設計取捨;一般電子產業新聞多

最受歡迎

依人氣

  1. 1文章進階中文

    全球前五大NAND Flash品牌合計營收季增77%⁠

    分析2026年第二季NAND Flash市場因AI伺服器需求旺盛而供不應求,導致五大品牌營收季增77%。內容詳述Samsung、SK hynix、Micron等廠商如何受惠於ASP調漲與特定製程放量,並展望第三季產業趨勢。

  2. 2文章進階中文

    3D架構挑戰記憶體牆 三星AI記憶體藍圖曝光⁠

    三星揭露其突破數位記憶體牆的3D架構藍圖,涵蓋HBM4E、HBM5與zHBM等技術,並推出基於V-NAND的zNAND-O概念。內容說明透過3D堆疊、先進製程與新型散熱設計,大幅提升AI加速器的頻寬、效能與能源效率。

  3. 3文章進階中文

    AI算力背後的能源革命 800V、48V配電重塑資料中心⁠

    探討 AI 算力激增下,資料中心電源架構如何透過 800V 高壓直流與 48V 中介匯流排進行能源革命。內容涵蓋氮化鎵、碳化矽與矽等多元功率半導體的協同應用,以及垂直供電技術如何解決高功率密度與散熱瓶頸,並提及鑽石半導體的未來潛力。

最新內容

依發布時間

  1. 文章進階中文

    3D架構挑戰記憶體牆 三星AI記憶體藍圖曝光⁠

    三星揭露其突破數位記憶體牆的3D架構藍圖,涵蓋HBM4E、HBM5與zHBM等技術,並推出基於V-NAND的zNAND-O概念。內容說明透過3D堆疊、先進製程與新型散熱設計,大幅提升AI加速器的頻寬、效能與能源效率。

  2. 文章進階中文

    全球前五大NAND Flash品牌合計營收季增77%⁠

    分析2026年第二季NAND Flash市場因AI伺服器需求旺盛而供不應求,導致五大品牌營收季增77%。內容詳述Samsung、SK hynix、Micron等廠商如何受惠於ASP調漲與特定製程放量,並展望第三季產業趨勢。

  3. 文章進階中文

    AI算力背後的能源革命 800V、48V配電重塑資料中心⁠

    探討 AI 算力激增下,資料中心電源架構如何透過 800V 高壓直流與 48V 中介匯流排進行能源革命。內容涵蓋氮化鎵、碳化矽與矽等多元功率半導體的協同應用,以及垂直供電技術如何解決高功率密度與散熱瓶頸,並提及鑽石半導體的未來潛力。