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矽極限的下一步?台積電技術再突破!二硫化鉬MoS2攻克關鍵瓶頸,下一代晶片技術來了?

來源 曲博科技教室 Dr. J Class

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摘要

介紹台積電利用磊晶介面工程技術,攻克二硫化鉬(MoS2)場效電晶體的關鍵瓶頸,實現高跨導與短通道效能突破。觀眾可了解下一代晶片技術在二維材料上的進展與應用前景。

TSMC demonstrates breakthroughs in next-generation chip technology using MoS2 and epitaxial interface engineering.

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提到的工具與公司

  • MoS2
  • CVD
  • Al2O3
  • HighK

適合誰看

半導體工程師、晶片研發人員或對先進製程技術感興趣的從業人員。

摘要依據

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